制造商型号： | ISP650P06NMXTSA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 60V SOT223-4 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) ISP650P06NMXTSA1
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ISP650P06NMXTSA1 中文资料
数据手册PDF
ISP650P06NMXTSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.7 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 4.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导（Min） 8.3 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 ISP650P06NM SP004987266
单位重量 114 mg
ISP650P06NMXTSA1 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1000 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥6.166171 总价：￥6166.17 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1000 | 6.166171 | 6166.17 |
品牌其他型号
ISP650P06NMXTSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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