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SILICONIX(威世) SIHG21N60EF-GE3

SILICONIX(威世) SIHG21N60EF-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SIHG21N60EF-GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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SIHG21N60EF-GE3 中文资料

SIHG21N60EF-GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 21 A

漏源电阻 176 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 84 nC

耗散功率 227 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 20.82 mm

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 6 g

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥30.97851 总价:¥30.98

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 30.97851 30.98
10 27.846007 278.46
100 22.817371 2281.74
500 19.423872 9711.94
1000 16.381603 16381.60
品牌其他型号
SIHG21N60EF-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SIHG21N60EF-GE3、查询SIHG21N60EF-GE3代理商; SIHG21N60EF-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SIHG21N60EF-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SIHG21N60EF-GE3替代型号SIHG21N60EF-GE3数据手册PDF