制造商型号: | SIHP21N80AE-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET E SERIES 800V TO-220AB |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SIHP21N80AE-GE3
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SIHP21N80AE-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHP21N80AE-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 17.4 A
漏源电阻 235 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 72 nC
耗散功率 32 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 76 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 38 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 71 ns
典型接通延迟时间 21 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存: 976
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 54.335804 | 54.34 |
10 | 48.752333 | 487.52 |
100 | 39.948684 | 3994.87 |
500 | 34.00747 | 17003.74 |
1000 | 28.681061 | 28681.06 |
2000 | 27.247096 | 54494.19 |
品牌其他型号
SIHP21N80AE-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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