制造商型号: | DMN3051L-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMN3051L-7
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DMN3051L-7 中文资料
数据手册PDF
DMN3051L-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.8 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 6.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.9 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 39566
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.54725 | 5.55 |
10 | 4.495584 | 44.96 |
100 | 3.060233 | 306.02 |
500 | 2.294944 | 1147.47 |
1000 | 1.72115 | 1721.15 |
品牌其他型号
DMN3051L-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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