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DMN3051L-7

DMN3051L-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMN3051L-7 编带

表面贴装型 N 通道 30 V 5.8A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3


立创商城:
N沟道 30V 5.8A


贸泽:
MOSFET 1.4W 30V 5.8A


艾睿:
Compared to traditional transistors, DMN3051L-7 power MOSFETs, developed by Diodes Zetex, are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. Its maximum power dissipation is 1400 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


儒卓力:
**N-CH MOS-FET 30V 4,5A SOT23 **


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3


DMN3051L-7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.4 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5.8A

上升时间 6.2 ns

输入电容Ciss 424pF @5VVds

额定功率Max 1.4 W

下降时间 2.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMN3051L-7引脚图与封装图
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