制造商型号： | FDI045N10A-F102 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) FDI045N10A-F102
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FDI045N10A-F102 中文资料
数据手册PDF
FDI045N10A-F102 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 3.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 54 nC
耗散功率 263 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导（Min） 132 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 23 ns
外形参数
高度 7.88 mm
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDI045N10A_F102
单位重量 2.387 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥54.689662 总价：￥54.69 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 54.689662 | 54.69 |
| 10 | 49.14967 | 491.50 |
| 100 | 40.271478 | 4027.15 |
| 500 | 34.282132 | 17141.07 |
| 1000 | 28.912602 | 28912.60 |
| 2000 | 27.466996 | 54933.99 |
品牌其他型号
FDI045N10A-F102品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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