制造商型号: | FQAF11N90C |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PF |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) FQAF11N90C
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FQAF11N90C 中文资料
数据手册PDF
FQAF11N90C 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 7.2 A
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 80 nC
耗散功率 120 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 85 ns
上升时间 130 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 60 ns
外形参数
高度 26.7 mm
长度 15.7 mm
宽度 5.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQAF11N90C_NL
单位重量 7 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 33.786916 | 33.79 |
10 | 30.318218 | 303.18 |
100 | 24.843077 | 2484.31 |
500 | 21.148671 | 10574.34 |
1000 | 17.836238 | 17836.24 |
品牌其他型号
FQAF11N90C品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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