制造商型号: | FQB19N20CTM |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) FQB19N20CTM

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FQB19N20CTM 中文资料
数据手册PDF
FQB19N20CTM 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 53 nC
耗散功率 3.13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 115 ns
正向跨导(Min) 10.8 S
上升时间 150 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 135 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 QFET
零件号别名 FQB19N20CTM_NL
单位重量 4 g
库存: 798
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 16.264605 | 16.26 |
200 | 6.307694 | 1261.54 |
500 | 6.076522 | 3038.26 |
1000 | 5.977449 | 5977.45 |
品牌其他型号
FQB19N20CTM品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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