制造商型号: | SI3812DV-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI3812DV-T1-E3
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SI3812DV-T1-E3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI3812DV-T1-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
包装
Tape & Reel (TR)
系列
LITTLE FOOT®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA (Min)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
4nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
Schottky Diode (Isolated)
功率耗散(最大值)
830mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
品牌其他型号
SI3812DV-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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