制造商型号： | IXFP3N120 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFP3N120
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IXFP3N120 中文资料
数据手册PDF
IXFP3N120 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 3 A
漏源电阻 4.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导（Min） 1.5 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 17 ns
外形参数
高度 16 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 HiPerFET Power MOSFET
单位重量 2 g
库存： 1755
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 133.863059 | 133.86 |
| 50 | 80.792093 | 4039.60 |
| 100 | 74.489056 | 7448.91 |
| 500 | 66.344369 | 33172.18 |
品牌其他型号
IXFP3N120品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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