制造商型号： | RQ3E150MNTB1 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RQ3E150MNTB1
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RQ3E150MNTB1 中文资料
数据手册PDF
RQ3E150MNTB1 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 2 W
配置 Single
下降时间 40 ns
正向跨导（Min） 10 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
RQ3E150MNTB1 引脚图与封装图
RQ3E150MNTB1引脚图
RQ3E150MNTB1封装图
RQ3E150MNTB1封装焊盘图
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 3000 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥6.18419 总价：￥18552.57 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 6.18419 | 18552.57 |
品牌其他型号
RQ3E150MNTB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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