制造商型号： | BSZ0904NSIATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) BSZ0904NSIATMA1
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BSZ0904NSIATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSZ0904NSIATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 4.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 37 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 41 S
上升时间 4.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ0904NSI SP000854390
单位重量 38.760 mg
库存： 10027
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 12.134356 | 12.13 |
| 10 | 9.935004 | 99.35 |
| 100 | 7.731859 | 773.19 |
| 500 | 6.553562 | 3276.78 |
| 1000 | 5.338612 | 5338.61 |
| 2000 | 5.025773 | 10051.55 |
品牌其他型号
BSZ0904NSIATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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