制造商型号: | RSJ10HN06TL |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 100A LPTS |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROHM(罗姆) RSJ10HN06TL
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RSJ10HN06TL 中文资料
数据手册PDF
RSJ10HN06TL 规格参数
属性
参数值
制造商型号
RSJ10HN06TL
制造商
ROHM(罗姆)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
100A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4.2mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
202nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
11000pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
100W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
LPTS
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
品牌其他型号
RSJ10HN06TL品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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