制造商型号: | SIR150DP-T1-RE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 45-V PPAK SO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIR150DP-T1-RE3
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SIR150DP-T1-RE3 中文资料
数据手册PDF
SIR150DP-T1-RE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 2.71 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 46.7 nC
耗散功率 65.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 72 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
品牌其他型号
SIR150DP-T1-RE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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