制造商型号： | DMN3018SSS-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMN3018SSS-13
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DMN3018SSS-13 中文资料
数据手册PDF
DMN3018SSS-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.3 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 13.2 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.1 ns
上升时间 4.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20.1 ns
典型接通延迟时间 4.3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
库存： 4240
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.984288 | 4.98 |
| 10 | 3.862823 | 38.63 |
| 100 | 2.321434 | 232.14 |
| 500 | 2.148976 | 1074.49 |
| 1000 | 1.46127 | 1461.27 |
品牌其他型号
DMN3018SSS-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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