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DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

N沟道 30V 7.3A

N-Channel 30V 7.3A Ta 1.4W Ta Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO


立创商城:
N沟道 30V 7.3A


贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R; 2.5K


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this DMN3018SSS-13 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 1700 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET, N Channel, Trans, 30V 7.3A SO8


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A Automotive 8-Pin SO T/R


儒卓力:
**N-CH 30V 7,3A 21mOhm SO8 **


Win Source:
MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO


DeviceMart:
MOSFET N CH 30V 7.3A SO-8


DMN3018SSS-13中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.7 W

输入电容 697 pF

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7.3A

上升时间 4.4 ns

输入电容Ciss 697pF @15VVds

额定功率Max 1.4 W

下降时间 4.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.4W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMN3018SSS-13引脚图与封装图
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