制造商型号: | SUP70090E-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 50A TO-220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SUP70090E-GE3
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SUP70090E-GE3 中文资料
数据手册PDF
SUP70090E-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 ThunderFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 7.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导(Min) 38 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存: 72
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 36.334486 | 36.33 |
10 | 32.599165 | 325.99 |
100 | 26.707546 | 2670.75 |
500 | 22.735654 | 11367.83 |
1000 | 20.544265 | 20544.26 |
品牌其他型号
SUP70090E-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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