制造商型号: | IPI041N12N3GAKSA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPI041N12N3GAKSA1
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IPI041N12N3GAKSA1 中文资料
数据手册PDF
IPI041N12N3GAKSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 211 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 83 S
上升时间 52 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 35 ns
外形参数
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPI041N12N3 G SP000652748
单位重量 2.387 g
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 500 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥42.575639 总价:¥21287.82 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
500 | 42.575639 | 21287.82 |
品牌其他型号
IPI041N12N3GAKSA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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