制造商型号： | FQB7N65CTM |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FQB7N65CTM
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FQB7N65CTM 中文资料
数据手册PDF
FQB7N65CTM 规格参数
属性
参数值
制造商型号
FQB7N65CTM
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
包装
Cut Tape (CT)
系列
QFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
36nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1245pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
173W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D²PAK (TO-263AB)
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 24 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥7.190831 总价：￥172.58 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 24 | 7.190831 | 172.58 |
| 50 | 6.9031 | 345.16 |
| 100 | 6.615658 | 661.57 |
| 300 | 6.327926 | 1898.38 |
| 500 | 6.040339 | 3020.17 |
| 1000 | 5.752608 | 5752.61 |
品牌其他型号
FQB7N65CTM品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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