制造商型号： | IPD60R1K5PFD7SAUMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) IPD60R1K5PFD7SAUMA1
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IPD60R1K5PFD7SAUMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 2.9 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 4.6 nC
耗散功率 22 W
通道模式 Enhancement
下降时间 75 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41.5 ns
典型接通延迟时间 6.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R1K5PFD7S SP004748872
单位重量 324 mg
库存： 1353
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 11.050843 | 11.05 |
| 10 | 9.751458 | 97.51 |
| 100 | 7.474499 | 747.45 |
| 500 | 5.908679 | 2954.34 |
| 1000 | 4.727089 | 4727.09 |
品牌其他型号
IPD60R1K5PFD7SAUMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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