制造商型号： | IPD60R2K0PFD7SAUMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPD60R2K0PFD7SAUMA1
图像仅供参考
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 3.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
下降时间 105 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 7.2 ns
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R2K0PFD7S SP004177934
单位重量 4 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥7.660735 总价：￥7.66 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.660735 | 7.66 |
| 10 | 6.758744 | 67.59 |
| 25 | 6.355938 | 158.90 |
| 100 | 4.612504 | 461.25 |
| 250 | 4.448168 | 1112.04 |
| 500 | 3.853843 | 1926.92 |
| 1000 | 3.279782 | 3279.78 |
品牌其他型号
IPD60R2K0PFD7SAUMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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