制造商型号： | NVMFS024N06CT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | T6 60V SG HIGHER RDS-ON P |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NVMFS024N06CT1G
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NVMFS024N06CT1G 中文资料
数据手册PDF
NVMFS024N06CT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 5.7 nC
耗散功率 28 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 10 S
上升时间 1.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 6.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q100
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥8.783877 总价：￥8.78 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.783877 | 8.78 |
| 10 | 7.508799 | 75.09 |
| 25 | 7.004433 | 175.11 |
| 100 | 5.205156 | 520.52 |
| 250 | 4.944473 | 1236.12 |
| 500 | 4.063818 | 2031.91 |
品牌其他型号
NVMFS024N06CT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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