制造商型号： | IPAN60R650CEXKSA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET NCH 600V 9.9A TO220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPAN60R650CEXKSA1
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IPAN60R650CEXKSA1 中文资料
数据手册PDF
IPAN60R650CEXKSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9.9 A
漏源电阻 1.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 20.5 nC
耗散功率 82 W
通道模式 Enhancement
下降时间 11 ns
上升时间 8 ns
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 16.15 mm
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPAN60R650CE SP001508816
单位重量 2 g
库存： 15
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 10.787271 | 10.79 |
品牌其他型号
IPAN60R650CEXKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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