制造商型号: | ZXMN3B04N8TA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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DIODES(美台) ZXMN3B04N8TA
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ZXMN3B04N8TA 中文资料
数据手册PDF
ZXMN3B04N8TA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.9 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 23.1 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16.6 ns
上升时间 11.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
500 | 4.731635 | 2365.82 |
1000 | 3.735494 | 3735.49 |
品牌其他型号
ZXMN3B04N8TA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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