制造商型号： | NVD5C454NLT4G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | T6 40V DPAK EXPANSION AND |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) NVD5C454NLT4G
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NVD5C454NLT4G 中文资料
数据手册PDF
NVD5C454NLT4G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 88 A
漏源电阻 3.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 56 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导（Min） 106 S
上升时间 38 ns
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 360 mg
库存： 2402
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 15.584298 | 15.58 |
| 10 | 13.870025 | 138.70 |
| 25 | 13.170149 | 329.25 |
| 100 | 9.877611 | 987.76 |
| 250 | 9.783539 | 2445.88 |
| 500 | 8.372452 | 4186.23 |
| 1000 | 6.820256 | 6820.26 |
品牌其他型号
NVD5C454NLT4G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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