制造商型号： | BSZ110N06NS3GATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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INFINEON(英飞凌) BSZ110N06NS3GATMA1
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BSZ110N06NS3GATMA1 中文资料
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BSZ110N06NS3GATMA1 规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSZ110N06NS3GATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
11mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 23µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
33nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2700pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W (Ta), 50W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerVDFN
BSZ110N06NS3GATMA1 同类别型号
库存： 10921
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 10.868874 | 10.87 |
| 10 | 9.718796 | 97.19 |
| 100 | 7.57788 | 757.79 |
| 500 | 6.259712 | 3129.86 |
| 1000 | 4.941799 | 4941.80 |
| 2000 | 4.612447 | 9224.89 |
品牌其他型号
BSZ110N06NS3GATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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