制造商型号: | SI4464DY-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI4464DY-T1-E3
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SI4464DY-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI4464DY-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 2.2 A
漏源电阻 240 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4464DY-T1
单位重量 187 mg
库存: 2690
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 12.197614 | 12.20 |
10 | 8.914194 | 89.14 |
30 | 8.309354 | 249.28 |
100 | 7.704514 | 770.45 |
500 | 7.445297 | 3722.65 |
品牌其他型号
SI4464DY-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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