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SILICONIX(威世) SQ3481EV-T1_GE3

SILICONIX(威世) SQ3481EV-T1_GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SQ3481EV-T1_GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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SQ3481EV-T1_GE3 中文资料

SQ3481EV-T1_GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 7.5 A

漏源电阻 35 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 15.4 nC

耗散功率 4 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 12 ns

上升时间 15 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 28 ns

典型接通延迟时间 9 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 SQ3481EV-T1_BE3

单位重量 20 mg

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥8.149792 总价:¥8.15

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 8.149792 8.15
10 7.153705 71.54
100 5.487526 548.75
500 4.337953 2168.98
1000 3.47034 3470.34
品牌其他型号
SQ3481EV-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SQ3481EV-T1_GE3、查询SQ3481EV-T1_GE3代理商; SQ3481EV-T1_GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SQ3481EV-T1_GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SQ3481EV-T1_GE3替代型号SQ3481EV-T1_GE3数据手册PDF