制造商型号： | IRFHM830TRPBF |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IRFHM830TRPBF
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IRFHM830TRPBF 中文资料
数据手册PDF
IRFHM830TRPBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.2 ns
正向跨导（Min） 52 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 1.05 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFHM830TRPBF SP001566782
单位重量 122.136 mg
库存： 8775
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 12.666221 | 12.67 |
| 10 | 11.281223 | 112.81 |
| 100 | 8.795329 | 879.53 |
| 500 | 7.265676 | 3632.84 |
| 1000 | 5.736023 | 5736.02 |
| 2000 | 5.353669 | 10707.34 |
品牌其他型号
IRFHM830TRPBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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