制造商型号： | IRFS9N60ATRRPBF |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) IRFS9N60ATRRPBF
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IRFS9N60ATRRPBF 中文资料
数据手册PDF
IRFS9N60ATRRPBF 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9.2 A
漏源电阻 750 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 170 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
IRFS9N60ATRRPBF 同类别型号
库存： 1600
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 46.065215 | 46.07 |
| 10 | 41.337149 | 413.37 |
| 100 | 33.867049 | 3386.70 |
品牌其他型号
IRFS9N60ATRRPBF品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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