制造商型号: | NVB190N65S3F |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | SUPERFET3 650V FRFET,190M |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) NVB190N65S3F
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NVB190N65S3F 中文资料
数据手册PDF
NVB190N65S3F 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 SuperFET III
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 162 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 19 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存: 1580
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
品牌其他型号
NVB190N65S3F品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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