制造商型号： | NTR3C21NZT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) NTR3C21NZT1G
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NTR3C21NZT1G 中文资料
数据手册PDF
NTR3C21NZT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 17.8 nC
耗散功率 1.56 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.67 us
正向跨导（Min） 20 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 420 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 6906
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.208539 | 5.21 |
| 10 | 4.462771 | 44.63 |
| 100 | 3.332281 | 333.23 |
| 500 | 2.618238 | 1309.12 |
| 1000 | 2.023282 | 2023.28 |
品牌其他型号
NTR3C21NZT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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