制造商型号: | IXTU1R4N60P |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTU1R4N60P
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IXTU1R4N60P 中文资料
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IXTU1R4N60P 规格参数
属性
参数值
制造商型号
IXTU1R4N60P
制造商
IXYS(艾赛斯.力特)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
包装
Tube
系列
PolarHV™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
9Ohm @ 700mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.2nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
140pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
50W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-251
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
品牌其他型号
IXTU1R4N60P品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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