制造商型号: | IPW65R150CFDFKSA2 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | HIGH POWER_LEGACY |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPW65R150CFDFKSA2
图像仅供参考
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IPW65R150CFDFKSA2 中文资料
数据手册PDF
IPW65R150CFDFKSA2 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 700 V
漏极电流 22.4 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 86 nC
耗散功率 195.3 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R150CFD SP001987372
单位重量 6 g
IPW65R150CFDFKSA2 同类别型号
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 240 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥33.49718 总价:¥8039.32 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
240 | 33.49718 | 8039.32 |
品牌其他型号
IPW65R150CFDFKSA2品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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