制造商型号: | SIDR668DP-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SIDR668DP-T1-GE3
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SIDR668DP-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIDR668DP-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 95 A
漏源电阻 5.05 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 72 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 4745
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 37.932983 | 37.93 |
10 | 34.040837 | 340.41 |
100 | 27.357464 | 2735.75 |
500 | 22.477084 | 11238.54 |
1000 | 19.266126 | 19266.13 |
品牌其他型号
SIDR668DP-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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