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INFINEON(英飞凌) BSZ060NE2LSATMA1

INFINEON(英飞凌) BSZ060NE2LSATMA1
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

BSZ060NE2LSATMA1

制造商:

INFINEON (英飞凌)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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BSZ060NE2LSATMA1 中文资料

BSZ060NE2LSATMA1 规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 OptiMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 25 V

漏极电流 40 A

漏源电阻 6.5 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 9.1 nC

耗散功率 26 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 1.8 ns

正向跨导(Min) 34 S

上升时间 2.2 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 11 ns

典型接通延迟时间 2.5 ns

外形参数

高度 1.1 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 BSZ060NE2LS SP000776122

单位重量 112.430 mg

库存: 58332

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥10.11058 总价:¥10.11
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 10.11058 10.11
10 8.922587 89.23
100 6.839808 683.98
500 5.407139 2703.57
1000 4.325686 4325.69
2000 3.920125 7840.25
品牌其他型号
BSZ060NE2LSATMA1品牌厂家:INFINEON ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购BSZ060NE2LSATMA1、查询BSZ060NE2LSATMA1代理商; BSZ060NE2LSATMA1价格批发咨询客服;这里拥有 BSZ060NE2LSATMA1中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 BSZ060NE2LSATMA1替代型号BSZ060NE2LSATMA1数据手册PDF