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ON(安森美) FDP10N60NZ

ON(安森美) FDP10N60NZ
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

FDP10N60NZ

制造商:

ON (安森美)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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FDP10N60NZ 中文资料

数据手册PDF

FDP10N60NZ 规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标名 UniFET

商标 onsemi / Fairchild

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 10 A

漏源电阻 640 mOhms

栅极电压 - 25 V, + 25 V

栅源极阈值电压 5 V

栅极电荷 23 nC

耗散功率 185 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 50 nS

正向跨导(Min) 14 S

上升时间 50 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 70 nS

典型接通延迟时间 25 nS

外形参数

高度 16.3 mm

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥9.472164 总价:¥9.47

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 9.472164 9.47
品牌其他型号
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