制造商型号： | NTJS3151PT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) NTJS3151PT1G
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NTJS3151PT1G 中文资料
数据手册PDF
NTJS3151PT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3.3 A
漏源电阻 133 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 8.6 nC
耗散功率 625 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.5 ns
正向跨导（Min） 15 S
上升时间 1.5 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 3.5 ns
典型接通延迟时间 0.86 ns
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 6.200 mg
库存： 2532
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.329474 | 7.33 |
| 10 | 5.945018 | 59.45 |
| 100 | 4.046141 | 404.61 |
| 500 | 3.034945 | 1517.47 |
| 1000 | 2.276347 | 2276.35 |
品牌其他型号
NTJS3151PT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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