制造商型号: | NTJS3151PT1G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) NTJS3151PT1G
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NTJS3151PT1G 中文资料
数据手册PDF
NTJS3151PT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3.3 A
漏源电阻 133 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 8.6 nC
耗散功率 625 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.5 ns
正向跨导(Min) 15 S
上升时间 1.5 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 3.5 ns
典型接通延迟时间 0.86 ns
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 6.200 mg
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库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 1.053123 | 3159.37 |
6000 | 0.989277 | 5935.66 |
15000 | 0.925499 | 13882.48 |
30000 | 0.84891 | 25467.30 |
75000 | 0.816988 | 61274.10 |
品牌其他型号
NTJS3151PT1G品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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