制造商型号： | SIHA17N80E-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIHA17N80E-E3
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SIHA17N80E-E3 中文资料
数据手册PDF
SIHA17N80E-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 122 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 71 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 4
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 58.094848 | 58.09 |
| 10 | 48.8146 | 488.15 |
| 100 | 39.487081 | 3948.71 |
| 500 | 35.099987 | 17549.99 |
| 1000 | 30.054318 | 30054.32 |
| 2000 | 28.299407 | 56598.81 |
品牌其他型号
SIHA17N80E-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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