制造商型号: | SI7113DN-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI7113DN-T1-E3
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SI7113DN-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI7113DN-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 13.2 A
漏源电阻 134 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7113DN-E3
单位重量 1 g
库存: 13168
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 34.630738 | 34.63 |
10 | 28.768249 | 287.68 |
100 | 22.897102 | 2289.71 |
500 | 19.37491 | 9687.45 |
1000 | 16.439212 | 16439.21 |
品牌其他型号
SI7113DN-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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