制造商型号： | DMN95H8D5HCT |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMN95H8D5HCT
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DMN95H8D5HCT 中文资料
数据手册PDF
DMN95H8D5HCT 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 7 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 7.9 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.15049 | 7.15 |
| 10 | 6.39373 | 63.94 |
| 25 | 6.065999 | 151.65 |
| 100 | 4.550096 | 455.01 |
| 250 | 4.506477 | 1126.62 |
品牌其他型号
DMN95H8D5HCT品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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