制造商型号: | IPP12CNE8N G |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 85V 67A TO-220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
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INFINEON(英飞凌) IPP12CNE8N G
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IPP12CNE8N G 中文资料
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IPP12CNE8N G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPP12CNE8N G
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 85V 67A TO-220
包装
Tube
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
85V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
67A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
12.9mOhm @ 67A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 83µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
64nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4340pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
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库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.642054 | 5.64 |
10 | 4.116949 | 41.17 |
30 | 3.833596 | 115.01 |
100 | 3.558578 | 355.86 |
500 | 3.433569 | 1716.78 |
品牌其他型号
IPP12CNE8N G品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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