制造商型号： | NVB110N65S3F |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | SUPERFET3 650V D2PAK PKG |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NVB110N65S3F
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NVB110N65S3F 中文资料
数据手册PDF
NVB110N65S3F 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 110 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 58 nC
耗散功率 240 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导（Min） 17 S
上升时间 32 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 61 ns
典型接通延迟时间 29 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 800 | 30.576419 | 24461.14 |
品牌其他型号
NVB110N65S3F品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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