制造商型号: | NVD5807NT4G-VF01 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 40V 23A DPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) NVD5807NT4G-VF01
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NVD5807NT4G-VF01 中文资料
数据手册PDF
NVD5807NT4G-VF01 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 23 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导(Min) 8.1 S
上升时间 20.4 ns
典型关闭延迟时间 15.6 ns
典型接通延迟时间 6.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 360 mg
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品牌其他型号
NVD5807NT4G-VF01品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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