制造商型号： | FQU1N60CTU |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) FQU1N60CTU
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FQU1N60CTU 中文资料
数据手册PDF
FQU1N60CTU 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 11.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 6.2 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导（Min） 0.75 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 6.3 mm
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQU1N60CTU_NL
单位重量 340 mg
品牌其他型号
FQU1N60CTU品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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