制造商型号: | FCMT180N65S3 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | SUPERFET3 650V PQFN88 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) FCMT180N65S3
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FCMT180N65S3 中文资料
数据手册PDF
FCMT180N65S3 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 SuperFET III
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 139 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 17 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 156.066 mg
库存: 5990
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 18.274818 | 18.27 |
10 | 13.536902 | 135.37 |
30 | 12.658444 | 379.75 |
100 | 11.794386 | 1179.44 |
500 | 11.405561 | 5702.78 |
品牌其他型号
FCMT180N65S3品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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