制造商型号: | IPW65R041CFDFKSA2 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | HIGH POWER_LEGACY |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPW65R041CFDFKSA2
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IPW65R041CFDFKSA2 中文资料
数据手册PDF
IPW65R041CFDFKSA2 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 700 V
漏极电流 68.5 A
漏源电阻 41 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 300 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R041CFD SP001987360
单位重量 6 g
库存: 220
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 179.706694 | 179.71 |
10 | 158.316659 | 1583.17 |
100 | 136.92409 | 13692.41 |
500 | 124.088042 | 62044.02 |
1000 | 113.818672 | 113818.67 |
品牌其他型号
IPW65R041CFDFKSA2品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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