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Toshiba(东芝) TK160F10N1L,LQ

Toshiba(东芝) TK160F10N1L,LQ
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

TK160F10N1L,LQ

制造商:

Toshiba (东芝)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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TK160F10N1L,LQ 中文资料

TK160F10N1L,LQ 规格参数

关键信息

制造商 Toshiba

商标名 U-MOSVIII-H

商标 Toshiba

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 160 A

漏源电阻 2 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 122 nC

耗散功率 375 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 40 ns

湿度敏感性 Yes

上升时间 22 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 140 ns

典型接通延迟时间 42 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 1.800 g

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1000 个

整装:

¥10
单价:¥17.73188 总价:¥17731.88

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1000 17.73188 17731.88
品牌其他型号
TK160F10N1L,LQ品牌厂家:Toshiba ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购TK160F10N1L,LQ、查询TK160F10N1L,LQ代理商; TK160F10N1L,LQ价格批发咨询客服;这里拥有 TK160F10N1L,LQ中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 TK160F10N1L,LQ替代型号TK160F10N1L,LQ数据手册PDF