制造商型号： | NVMFS6H818NT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | TRENCH 8 80V NFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NVMFS6H818NT1G
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NVMFS6H818NT1G 中文资料
数据手册PDF
NVMFS6H818NT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 123 A
漏源电阻 3.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 98 ns
典型关闭延迟时间 49 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1500 | 9.836989 | 14755.48 |
| 3000 | 9.158596 | 27475.79 |
| 7500 | 8.819398 | 66145.49 |
品牌其他型号
NVMFS6H818NT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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